IBE：等电子束缚激子

“Isoelectronic Bound Exciton”在电子物理学及相关学术领域中常被简称为IBE，这一缩写有助于论文撰写与学术交流中的便捷使用。其中文译名为“等电子束缚激子”，通常用于描述半导体材料中由等电子杂质束缚的激子态，是光电材料研究中的重要概念。

Isoelectronic Bound Exciton具体释义

  • 英文缩写：IBE
  • 英语全称：Isoelectronic Bound Exciton
  • 中文意思：等电子束缚激子
  • 中文拼音：děng diàn zǐ shù fù jī zǐ
  • 相关领域： ibe 电子

Isoelectronic Bound Exciton的英文发音

例句

  1. The pressure behaviors of electron-phonon coupling strength of N isoelectronic trap and effective radius of bound exciton are discussed.
  2. 讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。

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