HMOS：高性能N沟道金属氧化物半导体

HMOS是“高性能N沟道金属氧化物半导体”的常用缩写形式，广泛应用于电子工程与半导体科学领域。该术语主要用于指代一类具有较高开关速度与优良电气特性的晶体管技术。采用缩写HMOS不仅简化了专业文献与日常技术交流中的书写和表述，也有助于提升相关文档的检索效率与传播效果。

High-performance n-channel Metal Oxide Semiconductor具体释义

  • 英文缩写：HMOS
  • 英语全称：High-performance n-channel Metal Oxide Semiconductor
  • 中文意思：高性能N沟道金属氧化物半导体
  • 中文拼音：gāo xìng néng gōu dào jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
  • 相关领域： hmos 电子

High-performance n-channel Metal Oxide Semiconductor的英文发音

本站英语缩略词为个人收集整理，可供非商业用途的复制、使用及分享，但严禁任何形式的采集或批量盗用

若HMOS词条信息存在错误、不当之处或涉及侵权，请及时联系我们处理：675289112@qq.com。