HDSD:氢缺陷浅供体
“氢缺陷浅供体”(简称HDSD)是半导体物理学和材料科学领域的一个专业术语,主要用于描述由氢原子缺陷形成的浅能级施主态。该缩写形式HDSD因其简洁高效而被广泛采纳,常见于学术论文、技术报告或相关电子材料的分析研究中,有助于提高专业交流与文献书写的效率。
Hydrogen Defect Shallow Donors具体释义
Hydrogen Defect Shallow Donors的英文发音
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