MBE：分子束外延

分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，常缩写为MBE）是一种广泛应用于电子学、材料科学及半导体研究领域的薄膜制备技术。该缩写形式便于学术交流与文献书写，有效简化了专业术语的表达流程。

Molecular Beam Epitaxy具体释义

  • 英文缩写：MBE
  • 英语全称：Molecular Beam Epitaxy
  • 中文意思：分子束外延
  • 中文拼音：fèn zǐ shù wài yán
  • 相关领域： mbe 电子

Molecular Beam Epitaxy的英文发音

例句

  1. I will discuss how Molecular Beam Epitaxy(MBE) ( MBE ) was invented, its current status, and future developments.
  2. 我将介绍分子束磊晶技术（MBE）的发明经过、现况、和将来的发展。
  3. Mid-infrared photoluminescence of PbSe / PbSrSe multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy
  4. MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究
  5. Magnetic and electrical properties of Fe_3O_4 thin films on MgO ( 100 ) substrates by laser molecular beam epitaxy
  6. Fe3O4/MgO（100）薄膜的激光分子束外延(MBE)与磁电学性能
  7. Study of Structure and Optical Characteristics of GaAs / GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy(MBE)
  8. MBE生长GaAs/GaN薄膜结构与光学特性研究
  9. The hetero epitaxial growth of GaSb on GaAs substrates by molecular beam epitaxy ( MBE ) was investigated.
  10. 研究了用分子束外延(MBE)（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。

本站英语缩略词为个人收集整理，可供非商业用途的复制、使用及分享，但严禁任何形式的采集或批量盗用

若MBE词条信息存在错误、不当之处或涉及侵权，请及时联系我们处理：675289112@qq.com。