SIMOX：氧气注入分离

“Separation by IMplantation of OXygen”在电子和半导体研究领域中常用其缩写形式“SIMOX”，以方便书写和学术交流。该方法的中文名称为“氧气注入分离”，是一种通过注入氧离子来实现材料层分离的关键技术，广泛应用于绝缘体上硅（SOI）等先进电子器件的制备过程中。

Separation by IMplantation of OXygen具体释义

  • 英文缩写：SIMOX
  • 英语全称：Separation by IMplantation of OXygen
  • 中文意思：氧气注入分离
  • 中文拼音：yǎng qì zhù rù fēn lí
  • 相关领域： simox 电子

Separation by IMplantation of OXygen的英文发音

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