InAs：砷化铟

砷化铟，其化学式常缩写为InAs，是一种在电子与半导体领域广泛应用的III-V族化合物半导体材料。该缩写形式便于科研人员在学术文献、技术报告及日常交流中快速书写与引用。由于其独特的能带结构和电子迁移特性，砷化铟常被用于制备高频晶体管、红外探测器和量子器件等前沿电子元件，在材料科学与微电子工程中具有重要研究价值。

Indium Arsenide具体释义

  • 英文缩写：InAs
  • 英语全称：Indium Arsenide
  • 中文意思：砷化铟
  • 中文拼音：shēn huà yīn
  • 相关领域： inas 电子

Indium Arsenide的英文发音

例句

  1. As one of the III-V group materials, InAs ( indium arsenide ) is an important narrow direct band semiconductor. It has high electron mobility, low electron effective mass and a large exciton Bohr radius.
  2. InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率，低有效质量以及很大的激子玻尔半径。
  3. X-ray measurement of the thermal expansion of germanium, silicon, indium antimonide and gallium arsenide
  4. 锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨&用X射线衍射法测量

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