TMR：隧道磁阻

隧道磁阻，其英文全称为Tunneling Magneto-Resistance，在技术领域常被缩写为TMR。这种缩写形式能有效简化书写和沟通流程，尤其在计算机硬件及磁存储技术中被广泛采用。TMR效应是自旋电子学中的重要现象，对磁阻式随机存取存储器等设备的性能具有关键影响。

Tunneling Magneto-Resistance具体释义

  • 英文缩写：TMR
  • 英语全称：Tunneling Magneto-Resistance
  • 中文意思：隧道磁阻
  • 中文拼音：suì dào cí zǔ
  • 相关领域： tmr 硬件

Tunneling Magneto-Resistance的英文发音

例句

  1. The discovery of the effect of giant magneto-resistance and tunneling magneto-resistance in metallic spin valves caused the revolution in the field of magnetic memory and magnetic recording.
  2. 金属自旋阀中巨磁电阻和隧道磁电阻效应的发现引发了磁存储和磁记录领域的革命。

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