MD-MOS：多漏金属氧化物半导体

“多漏金属氧化物半导体”（Multi-Drain Metal-Oxide Semiconductor）在学术和电子工程领域常被缩写为MD-MOS，这一简称有助于简化书写和提高交流效率。该术语主要用于描述具有多个漏极结构的MOS器件，常见于集成电路设计与半导体技术研究中。

Multi-Drain Metal-Oxide Semiconductor具体释义

  • 英文缩写：MD-MOS
  • 英语全称：Multi-Drain Metal-Oxide Semiconductor
  • 中文意思：多漏金属氧化物半导体
  • 中文拼音：duō lòu jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
  • 相关领域： mdmos 电子

Multi-Drain Metal-Oxide Semiconductor的英文发音

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