FRD:快恢复二极管
“Fast Recovery Diode”通常缩写为FRD,这一简称便于书写与使用,在电子技术及相关综合领域中广泛应用。其对应的中文名称为“快恢复二极管”,该类器件因其优越的反向恢复特性,在开关电源、高频电路等场合中具有重要作用。
Fast Recovery Diode具体释义
Fast Recovery Diode的英文发音
例句
- Spin-on platinum diffusion was used to introduce recombination center in order to reduce the reverse recovery time TRR of fast recovery diode.
- 采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管(FRD)的反向恢复时间。
- The switching losses model of neutral-point-clamped three-level inverter with widely used IGBT and fast recovery diode is developed.
- 作为方法的应用,研究了三电平中点箝位式变换器开关损耗,研究的器件为主流功率器件IGBT和快恢复二极管(FRD)。
- Finally, a series of important reliability analysis of the semiconductor lighting control key devices including LED, MOSFET, fast recovery diode devices is made from the material structure, working dynamic performance.
- 最后对半导体照明控制关键器件作了一系列可靠性分析,包括LED、MOSFET、快恢复二极管(FRD)等器件,如材料结构、工作动态性能等方面一一加以分析。
- In this paper, the probability for adjusting silicon fast recovery diode soft factors and softness by selecting proper recombination center in process is analyzed.
- 探讨了快恢复二极管(FRD)制造过程中,选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管(FRD)软度因子和软度的可行性。
- Experiment on Localized Platinum Doping Lifetime Control in Fast Recovery Diode(FRD)
- 局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管(FRD)的研究
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