PCM：相变存储器

相变存储器（Phase Change Memory，简称PCM）是一种常见的半导体存储技术，因其缩写PCM便于书写和使用而被广泛采纳。它利用材料的相变特性实现数据存储，具有非易失性和高速读写的优点。该技术常见于综合性科技领域，尚未被严格细分归类，应用前景广阔。

Phase Change Memory具体释义

  • 英文缩写：PCM
  • 英语全称：Phase Change Memory
  • 中文意思：相变存储器
  • 中文拼音：xiàng biàn cún chǔ qì
  • 相关领域： pcm 未分类的

Phase Change Memory的英文发音

例句

  1. Effect of Thermal and Electrical Properties of Materials on the Power Consumption of Phase Change Memory(PCM)
  2. 材料热电特性对相变存储器(PCM)功耗的影响
  3. Research Progress on Phase Change Materials for Phase Change Memory(PCM)
  4. 基于相变存储器(PCM)的相变存储材料的研究进展
  5. The results show that the width and amplitude of the precision can be precisely adjusted, which lays foundation for phase change memory measurement.
  6. 研究结果表明，本论文研究设计的精密电流源在脉冲宽度和脉冲幅值上可精确可调，为相变存储器(PCM)的测试奠定了基础。
  7. A full-function phase change memory chip has been successfully fabricated.
  8. 研制成功了全功能相变存储器(PCM)芯片。
  9. Device Unit Test System on Phase Change Memory(PCM)
  10. 相变存储器(PCM)器件单元测试系统

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