SDE：源漏扩展

在电子工程与半导体技术领域，“Source-Drain Extension”这一专业术语常被缩写成“SDE”，以便于文献书写和日常交流中的高效使用。其中文对应名称为“源漏扩展”，主要用于描述晶体管结构中源极与漏极区域的扩展部分，对器件性能有重要影响。该缩写形式在相关学术论文和技术资料中广泛采用。

Source-Drain Extension具体释义

  • 英文缩写：SDE
  • 英语全称：Source-Drain Extension
  • 中文意思：源漏扩展
  • 中文拼音：yuán lòu kuò zhǎn
  • 相关领域： sde 电子

Source-Drain Extension的英文发音

本站英语缩略词为个人收集整理，可供非商业用途的复制、使用及分享，但严禁任何形式的采集或批量盗用

若SDE词条信息存在错误、不当之处或涉及侵权，请及时联系我们处理：675289112@qq.com。