CBE：化学束外延

化学分子束外延（Chemical Beam Epitaxy，常缩写为CBE）是一种广泛应用于半导体与电子科学领域的先进材料生长技术。该缩写形式便于科研人员在文献撰写和设备操作中高效记录与交流。该技术主要用于在晶体基底上精确生长高质量的半导体薄膜结构，对微电子器件和光电器件的研发具有重要意义。

Chemical Beam Epitaxy具体释义

  • 英文缩写：CBE
  • 英语全称：Chemical Beam Epitaxy
  • 中文意思：化学束外延
  • 中文拼音：huà xué shù wài yán
  • 相关领域： cbe 电子

Chemical Beam Epitaxy的英文发音

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